Предлагаме Ви един вариант на захранващ блок с инт. схема 34063, с натрупващ дросел и ШИМ регулиране, мощен MOSFET транзистор, с КПД>70%.
    От формулата за дросела L = k (Uвх. - Uизх.) / (Imin.f) се виждат противоречивите и трудноизпълними изисквания за получаване на непрекъснато ШИМ регулиране в широк диапазон. Най-неблагоприятната комбинация е: високо входно и ниско изходно напрежение при малък товарен ток. Поради тези причини най-често импулсните интегрални схеми се използват за захранване на определен товар.
    Изходите на 34063 са:
    1,8 - колектори на изходните транзистори (Дарлингтон);
    2 - емитер на изходния транзистор;
    3 - честотно определящ кондензатор;
    4 - маса;
    5 - вход на компаратор (на другия е зададено U=1.25V);
    6 - входно напрежение;
    7 - токоограничителен вход.
    
    Максималната честота е до 100kHz. Изходното напрежение се определя по формулата: Uизх. = 1.25 (1 + R3,4/R5), като е желателно резисторите да са от металослоен тип, а R5 се избира от (1÷5)kΩ. При R5=1kΩ се изчислява за:
    Uизх. = 6,8V R3,4 = 4,44kΩ;
    Uизх. = 7,5V R3,4 = 5kΩ;
    Uизх. = 12V R3,4 = 8,6kΩ;
    Uизх. = 13,6V R3,4 = 9,88kΩ;
    Uизх. = 27,2V R3,4 = 20,76kΩ.
    Изправеното и изгладено напрежение от VD1÷VD4 и C2 (на вх. 6 на U1) не трябва да надвишава 40V.
    За облекчаване на вътрешния транзисторен ключ в U1 се използва транзисторът VT2, който пропуска късия импулсен ток за натрупване на енергия в L през C6 и товара. След запушване на VT2, напрежението от самоиндукцията в L се затваря през диода VD5 и товара. Ако натрупаната енергия е малка, този процес завършва преди да се отпуши отново VT2, т.е. процесът става прекъснат и това води до получаване на изхода на по-големи пулсации, независимо от L2 и C8.
    VT1 разрежда натрупания заряд в гейта на VT2, след спиране на управляващия импулс от U1.
    Резисторите R1 задават тока на късо съединение, като върху тях има импулсен пад на напрежение. Този пад трябва да е под 0,3V за да няма токоограничение (при четири резистора от 0.47Ω този ток е 2А, а ограничението започва след това). При токоограничение изходното напрежение започва да намалява.
    С приложения дросел L може да се получи непрекъснат ШИМ при ток >150мА.
    При много от видовете стабилизатори се изисква задължително забавено включване на изходното напрежение (особено при максимален ток в товара) за да може интегралната схема да влезе в номинален режим на работа. Това тук се постига с кондензатора C5 (0,1÷1,0µF).
    Чрез филтъра L2, C8 се намаляват изходните пулсации до под 20mV.
    Транзисторът VT2 се монтира под прав ъгъл, над U1, като на горната му част (на нивото на L1, C6, C8) се монтира радиатор от алуминиева плочка.
    М1 е мостче от гол проводник. Елементите C3, С7, R1 и VT1 са за SMD монтаж от страната на спойките. Катодният извод на VD5 трябва да се огъне непосредствено до тялото му, за да не превишава височината на C6 и C8. VD7 и R8 се запояват последователно свързани и вертикално.
    За реализиране на зарядно устройство за определен ток се използва режима на токоограничение, зададен с R1: 4x0.47Ω - 2A, 2x0.47Ω - 1A. За спиране на зареждането се използва режима на стабилизация по напрежение, като се изхожда от факта, че всеки акумулатор има определено вътрешно съпротивление, което при стандартен заряден ток предизвиква пад на напрежение. Известно е, че общото напрежение при заряден ток 1/10 от капацитета на оловен акумулатор е: за 6V - 6,8V; за 12V - 13,6V; за 24V - 27,2V.
    При алкални акумулатори и заряден ток 1/10 от капацитета, общото напрежение е 1,45V (при номинално 1,2V на елемент). Например при 5елемента (6V) и R5=1kΩ - R3,4 = 4,8kΩ , при 10 елемента (12V) - R3,4 = 10,6kΩ .
    Устройството е съобразено с масово предлагана на пазара кутия.
    Забележка: При изходно напрежение >15V да се постави за C6, C8 кондензатори за по-високо напрежение.
    Стойността на R2, която влияе на честотата на генератора, зависи от големината на изходното напрежение: 12V - 1MΩ, 7.5V – 220kΩ, 5V – 100kΩ.
Забележка:
За да се избегне обратното влияние на акумулатора върху ШИМ контролера е желателно последователно да се постави външен Шотки диод с ток >3А, например 1N5822.
    
    

СЪДЪРЖAНИЕ

1.	Печатна платка 0501		- 1 бр.
2. U1	Инт. схема 34063		- 1 бр.
3. VT1	Транзистор SMD NPN Uce>40V		- 1 бр.
4. VT2	Транзистор IRF9530		- 1 бр.
5. VD1÷VD4	Диод RL202		- 4 бр.
6. VD5	Шотки диод 1N5822		- 1 бр.
7. VD6	Светодиод		- 1 бр.
8. VD7	Диод 1N4148 SMD mini-melf		- 1 бр.
9. C1	Кондензатор 470µF / 50V		- 1 бр.
10. C2, C3, C5, C7	Кондензатор SMD0805 100nF/50V		- 4 бр.
11. C4	Кондензатор SMD0805 330pF		-
	Кондензатор SMD0805 470pF		- 1 бр.
12. C6, C8	Кондензатор 470µF / 16V		- 2 бр.
13. C9	Кондензатор SMD0805 4.7nF		- 1 бр.
14. L1	Дросел		- 2 бр.
15. L2	Дросел 10µH		-
16. R1	Резистор SMD1206 0.47Ω		- 4 бр.
17. R2	Резистор SMD0805 1MΩ (220kΩ, 100kΩ)		- 3 бр.
18. R3	Резистор SMD0805 3,9kΩ / 1% (за 12V)		-
	Резистор SMD0805 4,7kΩ / 1% (за 13.6V)		- 1 бр.
19. R4	Резистор SMD0805 4.7kΩ / 1% (за 12V)		-
	Резистор SMD0805 5,1kΩ / 1% (за 13,6V)		- 1 бр.
20. R5	Резистор SMD0805 1kΩ / 1%		- 1 бр.
21. R6	Резистор SMD0805 2.2kΩ		- 1 бр.
22. R7, R9	Резистор SMD1206 2.2kΩ		- 2 бр.
23. R8	Резистор SMD0805 10Ω		- 1 бр.

Фиг. 1 Принципна схема


Фиг. 2 Монтажна схема


Фиг. 3 Монтажна схема (страна спойки)